テーパーアンプリファイアーチップ 755-1064nm、3Wまで
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L121
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レーザー
> 半導体レーザー
M2k社はGaAs、GaSbなどの-V化合物を利用したオプトエレクトロニクス製品のメーカーです。
GaAsベースでは765〜1083nmの高出力レーザー
GaSbベースでは、1.9〜2.5μm帯での高輝度レーザー
・テーパー構造の高輝度、高出力
・外部共振用テーパードアンプ、テーパードアンプレーザー
・シングルエミッターやアレイタイプのブロードエリアダイオードレーザー
・カスタムパッケージ、波長にも対応可能
・テーパーアンプリファイアーチップ
755-1064nm、3Wまで、テーパードアンプとして1Wまでアンプ可能
テーパーアンプリファイアーチップ仕様
・MIRレーザー: 1850-2500nm、10Wまで
MIRレーザー仕様
・MIRレーザーモジュール: 1850-2500nm、18Wまで
MIRレーザーファイバーモジュール仕様
・MIRチューナブルレーザー: 2000-2300nm、30mW
MIRチューナブルレーザー仕様
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